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176805Imagen DMN10H220LVT-7Diodes Incorporated

DMN10H220LVT-7

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Especificaciones
  • Número de pieza
    DMN10H220LVT-7
  • Fabricante / Marca
    Diodes Incorporated
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET N-CH 100V 1.87A TSOT26
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    DMN10H220LVT-7.pdf
  • VGS (th) (Max) @Id
    2.5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±16V
  • Tecnología
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paquete del dispositivo
    TSOT-26
  • Serie
    -
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    220 mOhm @ 1.6A, 10V
  • La disipación de energía (máximo)
    1.67W (Ta)
  • embalaje
    Cut Tape (CT)
  • Paquete / Cubierta
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
  • Otros nombres
    DMN10H220LVT-7DICT
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    401pF @ 25V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    8.3nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Característica de FET
    -
  • Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    100V
  • Descripción detallada
    N-Channel 100V 1.87A (Ta) 1.67W (Ta) Surface Mount TSOT-26
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
    1.87A (Ta)

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