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Imagen DMN2005LP4K-7

Diodes Incorporated

DMN2005LP4K-7

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Especificaciones

Número de pieza

DMN2005LP4K-7
Fabricante / Marca

Diodes Incorporated
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 20V 200MA 3-DFN
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

DMN2005LP4K-7.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

900mV @ 100µA
Vgs (Max)

±10V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

X2-DFN1006-3
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

1.5 Ohm @ 10mA, 4V
La disipación de energía (máximo)

400mW (Ta)
embalaje

Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta

3-XFDFN
Otros nombres

DMN2005LP4KDICT
Temperatura de funcionamiento

-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

20 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

41pF @ 3V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

1.5V, 4V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

20V
Descripción detallada

N-Channel 20V 200mA (Ta) 400mW (Ta) Surface Mount X2-DFN1006-3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

200mA (Ta)

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