Para visitantes en ElectronicA 2024

¡Reserve su tiempo ahora!

Todo lo que se necesita es unos pocos clics para reservar su lugar y obtener el boleto de stand

Hall C5 Booth 220

Registro anticipado

*Nombre de la empresa
*Nombre
*Título

*Dirección de correo electrónico
*Número de teléfono

*País
*Ventana de contacto
*Fecha del evento

*Mensajes

Para visitantes en ElectronicA 2024

¡Están todos registrados! ¡Gracias por hacer una cita!
Le enviaremos los boletos de stand por correo electrónico una vez que hayamos verificado su reserva.

Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores-FETs, MOSFETs-escoja > DMN2011UFDE-13

RFQs/Orden (0)

español

español

2000387

Imagen DMN2011UFDE-13

Diodes Incorporated

DMN2011UFDE-13

Petición de oferta en línea

Complete todos los campos requeridos con su información de contacto. Haga clic en "Enviar RFQ" Nos comunicaremos con usted en breve por correo electrónico.O envíenos un correo electrónico:info@ftcelectronics.com

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

Existencias disponibles

10000+

$0.259

Consulta en línea

Especificaciones

Número de pieza

DMN2011UFDE-13
Fabricante / Marca

Diodes Incorporated
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 20V 11.7A SOT323
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

DMN2011UFDE-13.pdf
VGS (th) (Max) @Id

1V @ 250µA
Vgs (Max)

±12V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

U-DFN2020-6 (Type E)
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

9.5 mOhm @ 7A, 4.5V
La disipación de energía (máximo)

610mW (Ta)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

6-UDFN Exposed Pad
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

16 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

3372pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

84nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

1.5V, 4.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

20V
Descripción detallada

N-Channel 20V 11.7A (Ta) 610mW (Ta) Surface Mount U-DFN2020-6 (Type E)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

11.7A (Ta)

Noticias relaciondas
Envío
Forma de pago

AMD lanza la construcción de la segunda fase del Bangalore...

La tarjeta gráfica NVIDIA RTX 5090 tiene un área de GPU d...

Anthrope recibe otra inversión de $ 4 mil millones de Amaz...

Semi: las ventas de IC aumentan en un 12% en el tercer ...

Se informa que Kioxia recibirá la aprobación de listados ...

La última plataforma óptica de silicio de Tower Semicondu...

La industria se recupera lentamente.El proveedor epitaxial ...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Proveedor: una gran cantidad de componentes de la GPU de la...

Taiwán, el valor de salida del semiconductor de China crec...

Ampliando la producción de paneles OLED, LG Display invert...

Envío

Pago

Los siguientes son productos relacionados con "DMN2011UFDE-13".

DMN2005K-7

Descripción: MOSFET N-CH 20V 300MA SOT23-3

Fabricantes: Diodes Incorporated

Existencias disponibles

DMN2005LPK-7

Descripción: MOSFET N-CH 20V 440MA 3-DFN

Fabricantes: Diodes Incorporated

Existencias disponibles

DMN2011UFX-7

Descripción: MOSFET 2N-CH 20V 12.2A DFN2050-4

Fabricantes: Diodes Incorporated

Existencias disponibles

DMN2015UFDE-7

Descripción: MOSFET N-CH 20V 10.5A U-DFN

Fabricantes: Diodes Incorporated

Existencias disponibles

DMN2005LP4K-7

Descripción: MOSFET N-CH 20V 200MA 3-DFN

Fabricantes: Diodes Incorporated

Existencias disponibles

DMN2011UFDF-13

Descripción: MOSFET N-CH 20V 14.2A UDFN2020-6

Fabricantes: Diodes Incorporated

Existencias disponibles

DMN2008LFU-7

Descripción: MOSFET 2N-CHA 20V 14.5A DFN2030

Fabricantes: Diodes Incorporated

Existencias disponibles

DMN2010UDZ-7

Descripción: MOSFET 2N-CH 20V 11A U-DFN2535-6

Fabricantes: Diodes Incorporated

Existencias disponibles

DMN2013UFDE-7

Descripción: MOSFET N-CH 20V 10.5A U-DFN

Fabricantes: Diodes Incorporated

Existencias disponibles

DMN2009LSS-13

Descripción: MOSFET N-CH 20V 12A 8-SOIC

Fabricantes: Diodes Incorporated

Existencias disponibles

DMN2014LHAB-7

Descripción: MOSFET 2N-CH 20V 9A 6-UDFN

Fabricantes: Diodes Incorporated

Existencias disponibles

DMN2011UFDF-7

Descripción: MOSFET N-CH 20V 14.2A UDFN2020-6

Fabricantes: Diodes Incorporated

Existencias disponibles

DMN2015UFDF-13

DMN2015UFDF-13

Descripción: MOSFET N-CH 20V 15.2A UDFN2020-6

Fabricantes: Diodes Incorporated

Existencias disponibles

DMN2005UFG-7

Descripción: MOSFET N-CH 20V 18.1A POWERDI-8

Fabricantes: Diodes Incorporated

Existencias disponibles

DMN2011UTS-13

DMN2011UTS-13

Descripción: MOSFET N-CH 20V 21A 8-TSSOP

Fabricantes: Diodes Incorporated

Existencias disponibles

DMN2013UFX-7

DMN2013UFX-7

Descripción: MOSFET 2N-CH 20V 10A 6-DFN

Fabricantes: Diodes Incorporated

Existencias disponibles

DMN2005UPS-13

Descripción: MOSFET N-CH 20V 20A POWERDI5060

Fabricantes: Diodes Incorporated

Existencias disponibles

DMN2005UFG-13

Descripción: MOSFET N-CH 20V 18.1A POWERDI-8

Fabricantes: Diodes Incorporated

Existencias disponibles

DMN2008LFU-13

Descripción: MOSFET 2NCH 20V 14.5A UDFN2030

Fabricantes: Diodes Incorporated

Existencias disponibles

DMN2011UFDE-7

Descripción: MOSFET N-CH 20V 11.7A UDFN2020-6

Fabricantes: Diodes Incorporated

Existencias disponibles

Como el único distribuidor público de mercado abierto, poseemos una combinación única de acceso global, experiencia en la industria manufacturera y calidad probada.Con esto, podemos crear soluciones personalizadas de cadena de suministro de extremo a extremo para el abastecimiento de componentes electrónicos y la gestión de inventario.

¡Síguenos!

Términos y condiciones Política de infracción Solicitar presupuesto Sobre nosotros Contáctenos Mapa del sitio

Seleccione el idioma

Haga clic en el espacio para salir

Idioma actual

Elija su país o región.