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Imagen DMN63D8LDWQ-7

Diodes Incorporated

DMN63D8LDWQ-7

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Especificaciones

Número de pieza

DMN63D8LDWQ-7
Fabricante / Marca

Diodes Incorporated
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

DMN63D8LDWQ-7.pdf
VGS (th) (Max) @Id

1.5V @ 250µA
Paquete del dispositivo

SOT-363
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

2.8 Ohm @ 250mA, 10V
Potencia - Max

300mW
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Otros nombres

DMN63D8LDWQ-7DITR
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

24 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

22pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

0.87nC @ 10V
Tipo FET

2 N-Channel (Dual)
Característica de FET

Standard
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

30V
Descripción detallada

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 220mA 300mW Surface Mount SOT-363
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

220mA

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