Para visitantes en ElectronicA 2024

¡Reserve su tiempo ahora!

Todo lo que se necesita es unos pocos clics para reservar su lugar y obtener el boleto de stand

Hall C5 Booth 220

Registro anticipado

*Nombre de la empresa
*Nombre
*Título

*Dirección de correo electrónico
*Número de teléfono

*País
*Ventana de contacto
*Fecha del evento

*Mensajes

Para visitantes en ElectronicA 2024

¡Están todos registrados! ¡Gracias por hacer una cita!
Le enviaremos los boletos de stand por correo electrónico una vez que hayamos verificado su reserva.

Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores-FETs, MOSFETs-escoja > DMN65D8LQ-13

RFQs/Orden (0)

español

español

6238154

Imagen DMN65D8LQ-13

Diodes Incorporated

DMN65D8LQ-13

Petición de oferta en línea

Complete todos los campos requeridos con su información de contacto. Haga clic en "Enviar RFQ" Nos comunicaremos con usted en breve por correo electrónico.O envíenos un correo electrónico:info@ftcelectronics.com

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

Existencias disponibles

10000+

$0.033

Consulta en línea

Especificaciones

Número de pieza

DMN65D8LQ-13
Fabricante / Marca

Diodes Incorporated
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 60V SOT23
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

DMN65D8LQ-13.pdf
VGS (th) (Max) @Id

2V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

SOT-23
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

3 Ohm @ 115mA, 10V
La disipación de energía (máximo)

370mW (Ta)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

12 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

22pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

0.87nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

60V
Descripción detallada

N-Channel 60V 310mA (Ta) 370mW (Ta) Surface Mount SOT-23
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

310mA (Ta)

Noticias relaciondas
Envío
Forma de pago

Se informa que Kioxia recibirá la aprobación de listados ...

La última plataforma óptica de silicio de Tower Semicondu...

La industria se recupera lentamente.El proveedor epitaxial ...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Proveedor: una gran cantidad de componentes de la GPU de la...

Taiwán, el valor de salida del semiconductor de China crec...

Ampliando la producción de paneles OLED, LG Display invert...

Amazon aumenta los esfuerzos para crear chips de IA persona...

La ganancia neta del tercer trimestre de Pegatron fue de $ ...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Corea del Sur planea promulgar la Ley de Chip para contrarr...

Envío

Pago

Los siguientes son productos relacionados con "DMN65D8LQ-13".

DMN67D7L-13

Descripción: MOSFETN-CHAN 60V SOT23

Fabricantes: Diodes Incorporated

Existencias disponibles

DMN63D8LW-13

Descripción: MOSFET N-CH 30V 0.38A SOT323

Fabricantes: Diodes Incorporated

Existencias disponibles

DMN66D0LW-7

Descripción: MOSFET N-CH 60V 0.115A SOT323

Fabricantes: Diodes Incorporated

Existencias disponibles

DMN66D0LT-7

Descripción: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-523

Fabricantes: Diodes Incorporated

Existencias disponibles

DMN63D8LW-7

Descripción: MOSFET N-CH 30V 0.38A SOT323

Fabricantes: Diodes Incorporated

Existencias disponibles

DMN65D8LFB-7

Descripción: MOSFET N-CH 60V 260MA 3DFN

Fabricantes: Diodes Incorporated

Existencias disponibles

DMN67D8LDW-13

Descripción: MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363

Fabricantes: Diodes Incorporated

Existencias disponibles

DMN65D8L-7

Descripción: MOSFET N-CH 60V 310MA SOT23

Fabricantes: Diodes Incorporated

Existencias disponibles

DMN65D8LDWQ-13

DMN65D8LDWQ-13

Descripción: MOSFET 2N-CH 60V 180MA SOT363

Fabricantes: Diodes Incorporated

Existencias disponibles

DMN67D7L-7

Descripción: MOSFETN-CHAN 60V SOT23

Fabricantes: Diodes Incorporated

Existencias disponibles

DMN65D8LQ-7

Descripción: MOSFET N-CH 60V SOT23

Fabricantes: Diodes Incorporated

Existencias disponibles

DMN67D8L-13

Descripción: MOSFET N-CH 60V 0.21A SOT23

Fabricantes: Diodes Incorporated

Existencias disponibles

DMN65D8LDW-7

Descripción: MOSFET 2N-CH 60V 0.18A SOT363

Fabricantes: Diodes Incorporated

Existencias disponibles

DMN65D8LW-7

Descripción: MOSFET N-CH 60V 0.3A SOT323

Fabricantes: Diodes Incorporated

Existencias disponibles

DMN67D8L-7

Descripción: MOSFET N-CH 60V 0.21A SOT23

Fabricantes: Diodes Incorporated

Existencias disponibles

DMN65D8LDWQ-7

DMN65D8LDWQ-7

Descripción: MOSFET 2N-CH 60V 180MA SOT363

Fabricantes: Diodes Incorporated

Existencias disponibles

DMN63D8LV-7

Descripción: MOSFET 2N-CH 30V 0.26A SOT563

Fabricantes: Diodes Incorporated

Existencias disponibles

DMN63D8LDWQ-7

Descripción: MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363

Fabricantes: Diodes Incorporated

Existencias disponibles

DMN66D0LDW-7

Descripción: MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SOT-363

Fabricantes: Diodes Incorporated

Existencias disponibles

DMN65D8LFB-7B

Descripción: MOSFET N-CH 60V 260MA 3DFN

Fabricantes: Diodes Incorporated

Existencias disponibles

Como el único distribuidor público de mercado abierto, poseemos una combinación única de acceso global, experiencia en la industria manufacturera y calidad probada.Con esto, podemos crear soluciones personalizadas de cadena de suministro de extremo a extremo para el abastecimiento de componentes electrónicos y la gestión de inventario.

¡Síguenos!

Términos y condiciones Política de infracción Solicitar presupuesto Sobre nosotros Contáctenos Mapa del sitio

Seleccione el idioma

Haga clic en el espacio para salir

Idioma actual

Elija su país o región.