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Imagen DMN65D8LFB-7B

Diodes Incorporated

DMN65D8LFB-7B

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Especificaciones

Número de pieza

DMN65D8LFB-7B
Fabricante / Marca

Diodes Incorporated
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 60V 260MA 3DFN
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

DMN65D8LFB-7B.pdf
VGS (th) (Max) @Id

2V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

X1-DFN1006-3
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

3 Ohm @ 115mA, 10V
La disipación de energía (máximo)

430mW (Ta)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

3-UFDFN
Otros nombres

DMN65D8LFB-7BDITR
DMN65D8LFB7B
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

20 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

25pF @ 25V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

60V
Descripción detallada

N-Channel 60V 260mA (Ta) 430mW (Ta) Surface Mount X1-DFN1006-3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

260mA (Ta)

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