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DMN95H2D2HCTI

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50+
$2.128
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Especificaciones
  • Número de pieza
    DMN95H2D2HCTI
  • Fabricante / Marca
    Diodes Incorporated
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET N-CH 950V 6A ITO220AB
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Contiene plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    DMN95H2D2HCTI.pdf
  • VGS (th) (Max) @Id
    5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Tecnología
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paquete del dispositivo
    ITO-220AB
  • Serie
    -
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    2.2 Ohm @ 3A, 10V
  • La disipación de energía (máximo)
    40W (Tc)
  • embalaje
    Tube
  • Paquete / Cubierta
    TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Through Hole
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    8 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Contains lead / RoHS Compliant
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    1487pF @ 25V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    20.3nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Característica de FET
    -
  • Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    950V
  • Descripción detallada
    N-Channel 950V 6A (Tc) 40W (Tc) Through Hole ITO-220AB
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
    6A (Tc)

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Descripción: MOSFET N-CHANNEL 950V ITO220AB

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Descripción: CONN QC RCPT 18-22AWG 0.110

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Descripción: MOSFET N-CH 900V 2.5A TO220AB

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