DMN80H2D0SCTI

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Especificaciones

Número de pieza

DMN80H2D0SCTI
Fabricante / Marca

Diodes Incorporated
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 800V 7A ITO220AB
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Contiene plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

DMN80H2D0SCTI.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

ITO-220AB
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

2 Ohm @ 2.5A, 10V
La disipación de energía (máximo)

41W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Tiempo de entrega estándar del fabricante

33 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Contains lead / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1253pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

35.4nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

800V
Descripción detallada

N-Channel 800V 7A (Tc) 41W (Tc) Through Hole ITO-220AB
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

7A (Tc)

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