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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores-FETs, MOSFETs-escoja > DMN67D8LW-13

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Imagen DMN67D8LW-13

Diodes Incorporated

DMN67D8LW-13

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Especificaciones

Número de pieza

DMN67D8LW-13
Fabricante / Marca

Diodes Incorporated
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 60V SOT323
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

DMN67D8LW-13.pdf
VGS (th) (Max) @Id

2.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

SOT-323
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

5 Ohm @ 500mA, 10V
La disipación de energía (máximo)

320mW (Ta)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

SC-70, SOT-323
Otros nombres

DMN67D8LW-13-ND
DMN67D8LW-13DITR
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

32 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

22pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

0.82nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

60V
Descripción detallada

N-Channel 60V 240mA (Ta) 320mW (Ta) Surface Mount SOT-323
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

240mA (Ta)

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