DMS3019SSD-13

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Especificaciones

Número de pieza

DMS3019SSD-13
Fabricante / Marca

Diodes Incorporated
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET 2N-CH 30V 7A/5.7A 8SO
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

DMS3019SSD-13.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

2.4V @ 250µA
Paquete del dispositivo

8-SOIC
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

15 mOhm @ 9A, 10V
Potencia - Max

1.19W
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Otros nombres

DMS3019SSD-13DITR
DMS3019SSD13
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

32 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1932pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

42nC @ 10V
Tipo FET

2 N-Channel (Dual)
Característica de FET

Logic Level Gate
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

30V
Descripción detallada

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 7A, 5.7A 1.19W Surface Mount 8-SOIC
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

7A, 5.7A

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DMS3016SSS-13

Descripción: MOSFET N-CH 30V 9.8A 8SO

Fabricantes: Diodes Incorporated

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