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124595Imagen US1M-13Diodes Incorporated

US1M-13

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Especificaciones
  • Número de pieza
    US1M-13
  • Fabricante / Marca
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    DIODE GEN PURP 1KV 1A SMA
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Contiene plomo / RoHS no conforme
  • Especificaciones
  • Modelo ECAD
  • Tensión - directo (Vf) (Max) Si @
    1.7V @ 1A
  • Voltaje - Inverso (Vr) (máx)
    1000V
  • Paquete del dispositivo
    SMA
  • Velocidad
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Tiempo de recuperación inversa (trr)
    75ns
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    DO-214AC, SMA
  • Otros nombres
    US1MDITR
    US1MTR
    US1MTR-ND
  • Temperatura de funcionamiento - Junction
    -65°C ~ 150°C
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Tipo de diodo
    Standard
  • Descripción detallada
    Diode Standard 1000V 1A Surface Mount SMA
  • Corriente - Fuga inversa a Vr
    5µA @ 1000V
  • Corriente - rectificada media (Io)
    1A
  • Capacitancia Vr, F
    10pF @ 4V, 1MHz
  • Número de pieza base
    US1M
US1M-M3/5AT

US1M-M3/5AT

Descripción: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
US1MDF-13

US1MDF-13

Descripción:

Fabricantes: Diodes Incorporated
Existencias disponibles
US1KHE3_A/I

US1KHE3_A/I

Descripción: DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
US1M/1

US1M/1

Descripción: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
US1M R3G

US1M R3G

Descripción: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Existencias disponibles
US1MDFQ-13

US1MDFQ-13

Descripción: DIODE GEN PURP 1KV 1A DFLAT

Fabricantes: Diodes Incorporated
Existencias disponibles
US1ME-TP

US1ME-TP

Descripción: DIODE GEN PURP 1KV 1A SMAE

Fabricantes: Micro Commercial Components (MCC)
Existencias disponibles
US1KHE3/61T

US1KHE3/61T

Descripción: DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
US1M-E3/5AT

US1M-E3/5AT

Descripción:

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
US1KHM2G

US1KHM2G

Descripción: DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Existencias disponibles
US1M-E3/61T

US1M-E3/61T

Descripción:

Fabricantes: VISHAY
Existencias disponibles
US1KHR3G

US1KHR3G

Descripción: DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Existencias disponibles
US1KSAFS-13

US1KSAFS-13

Descripción: DIODE GEN PURP 800V 1A SMA-FS

Fabricantes: Diodes Incorporated
Existencias disponibles
US1KHE3_A/H

US1KHE3_A/H

Descripción: DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
US1KFA

US1KFA

Descripción:

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Existencias disponibles
US1KHE3/5AT

US1KHE3/5AT

Descripción: DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
US1M M2G

US1M M2G

Descripción: DIODE GEN PURP 1A DO214AC

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Existencias disponibles
US1M-13-F

US1M-13-F

Descripción:

Fabricantes: Diodes Incorporated
Existencias disponibles
US1M-M3/61T

US1M-M3/61T

Descripción: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
US1M-TP

US1M-TP

Descripción: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC

Fabricantes: Micro Commercial Components (MCC)
Existencias disponibles

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