EPC2007C

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Especificaciones

Número de pieza

EPC2007C
Fabricante / Marca

EPC
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Descripción

TRANS GAN 100V 6A BUMPED DIE
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

EPC2007C.pdf
VGS (th) (Max) @Id

2.5V @ 1.2mA
Vgs (Max)

+6V, -4V
Tecnología

GaNFET (Gallium Nitride)
Paquete del dispositivo

Die Outline (5-Solder Bar)
Serie

eGaN®
RDS (Max) @Id, Vgs

30 mOhm @ 6A, 5V
La disipación de energía (máximo)

-
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

Die
Otros nombres

917-1081-2
Temperatura de funcionamiento

-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

12 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

220pF @ 50V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

2.2nC @ 5V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

100V
Descripción detallada

N-Channel 100V 6A (Ta) Surface Mount Die Outline (5-Solder Bar)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

6A (Ta)

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