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EPC

EPC2015

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Especificaciones

Número de pieza

EPC2015
Fabricante / Marca

EPC
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

EPC2015.pdf
VGS (th) (Max) @Id

2.5V @ 9mA
Vgs (Max)

+6V, -5V
Tecnología

GaNFET (Gallium Nitride)
Paquete del dispositivo

Die Outline (11-Solder Bar)
Serie

eGaN®
RDS (Max) @Id, Vgs

4 mOhm @ 33A, 5V
La disipación de energía (máximo)

-
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

Die
Otros nombres

917-1019-2
Temperatura de funcionamiento

-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1200pF @ 20V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

11.6nC @ 5V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

40V
Descripción detallada

N-Channel 40V 33A (Ta) Surface Mount Die Outline (11-Solder Bar)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

33A (Ta)

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