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EPC2010

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Especificaciones
  • Número de pieza
    EPC2010
  • Fabricante / Marca
    EPC
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    TRANS GAN 200V 12A BUMPED DIE
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    EPC2010.pdf
  • VGS (th) (Max) @Id
    2.5V @ 3mA
  • Vgs (Max)
    +6V, -4V
  • Tecnología
    GaNFET (Gallium Nitride)
  • Paquete del dispositivo
    Die
  • Serie
    eGaN®
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    25 mOhm @ 6A, 5V
  • La disipación de energía (máximo)
    -
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    Die
  • Otros nombres
    917-1016-2
  • Temperatura de funcionamiento
    -40°C ~ 125°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    540pF @ 100V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    7.5nC @ 5V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Característica de FET
    -
  • Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)
    5V
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    200V
  • Descripción detallada
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