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Imagen EPC2029ENGRT

EPC

EPC2029ENGRT

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Especificaciones

Número de pieza

EPC2029ENGRT
Fabricante / Marca

EPC
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

TRANS GAN 80V 31A BUMPED DIE
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

EPC2029ENGRT.pdf
Voltaje - Prueba

1400pF @ 40V
Tensión - Desglose

Die
VGS (th) (Max) @Id

3.2 mOhm @ 30A, 5V
Tecnología

GaNFET (Gallium Nitride)
Serie

eGaN®
Estado RoHS

Cut Tape (CT)
RDS (Max) @Id, Vgs

31A (Ta)
Polarización

Die
Otros nombres

917-EPC2029CENGRCT
917-EPC2029CENGRCT-ND
917-EPC2029CENGRTCT
917-EPC2029CENGRTCT-ND
917-EPC2029ENGRCT
Temperatura de funcionamiento

-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante

EPC2029ENGRT
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

13nC @ 5V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

2.5V @ 12mA
Característica de FET

N-Channel
Descripción ampliada

N-Channel 80V 31A (Ta) Surface Mount Die
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

-
Descripción

TRANS GAN 80V 31A BUMPED DIE
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

80V
relación de capacidades

-

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