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EPC

EPC2101

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Especificaciones

Número de pieza

EPC2101
Fabricante / Marca

EPC
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

EPC2101.pdf
VGS (th) (Max) @Id

2.5V @ 3mA, 2.5V @ 12mA
Paquete del dispositivo

Die
Serie

eGaN®
RDS (Max) @Id, Vgs

11.5 mOhm @ 20A, 5V, 2.7 mOhm @ 20A, 5V
Potencia - Max

-
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

Die
Otros nombres

917-1181-2
Temperatura de funcionamiento

-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

14 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

300pF @ 30V, 1200pF @ 30V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

2.7nC @ 5V, 12nC @ 5V
Tipo FET

2 N-Channel (Half Bridge)
Característica de FET

GaNFET (Gallium Nitride)
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

60V
Descripción detallada

Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 60V 9.5A, 38A Surface Mount Die
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

9.5A, 38A

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