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Imagen EPC2100ENGRT

EPC

EPC2100ENGRT

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Especificaciones

Número de pieza

EPC2100ENGRT
Fabricante / Marca

EPC
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET 2 N-CH 30V 9.5A/38A DIE
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

EPC2100ENGRT.pdf
VGS (th) (Max) @Id

2.5V @ 4mA, 2.5V @ 16mA
Paquete del dispositivo

Die
Serie

eGaN®
RDS (Max) @Id, Vgs

8.2 mOhm @ 25A, 5V, 2.1 mOhm @ 25A, 5V
Potencia - Max

-
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

Die
Otros nombres

917-EPC2100ENGRTR
Temperatura de funcionamiento

-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

16 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

475pF @ 15V, 1960pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

4.9nC @ 15V, 19nC @ 15V
Tipo FET

2 N-Channel (Half Bridge)
Característica de FET

GaNFET (Gallium Nitride)
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

30V
Descripción detallada

Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 10A (Ta), 40A (Ta) Surface Mount Die
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

10A (Ta), 40A (Ta)

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