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EPC8002

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Especificaciones

Número de pieza

EPC8002
Fabricante / Marca

EPC
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

TRANS GAN 65V 2.7A BUMPED DIE
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

1.EPC8002.pdf
2.EPC8002.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

2.5V @ 250µA
Vgs (Max)

+6V, -4V
Tecnología

GaNFET (Gallium Nitride)
Paquete del dispositivo

Die
Serie

eGaN®
RDS (Max) @Id, Vgs

530 mOhm @ 500mA, 5V
La disipación de energía (máximo)

-
embalaje

Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta

Die
Otros nombres

917-1118-1
Temperatura de funcionamiento

-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

12 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

21pF @ 32.5V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

65V
Descripción detallada

N-Channel 65V 2A (Ta) Surface Mount Die
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

2A (Ta)

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Apoyamos múltiples métodos de pago, incluidas tarjetas de crédito, transferencias bancarias y otras opciones, y aceptamos la mayoría de las monedas.Para los pedidos realizados en USD, hay opciones de pago adicionales disponibles.Para obtener más detalles sobre métodos y procedimientos de pago, comuníquese con nuestro equipo de ventas.

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EPC8010

Descripción: TRANS GAN 100V 2.7A BUMPED DIE

Fabricantes: EPC

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