GBU4K-M3/51

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Especificaciones

Número de pieza

GBU4K-M3/51
Fabricante / Marca

Electro-Films (EFI) / Vishay
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

BRIDGE RECT GPP 4A 800V GBU
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

GBU4K-M3/51.pdf
Tensión - inversa de pico (máxima)

800V
Tensión - directo (Vf) (Max) Si @

1V @ 4A
Tecnología

Standard
Paquete del dispositivo

GBU
Serie

-
embalaje

Tray
Paquete / Cubierta

4-SIP, GBU
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

40 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Tipo de diodo

Single Phase
Descripción detallada

Bridge Rectifier Single Phase Standard 800V Through Hole GBU
Corriente - Fuga inversa a Vr

5µA @ 800V
Corriente - rectificada media (Io)

4A

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Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

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Descripción: DIODE BRIDGE 800V 4A GBU

Fabricantes: GeneSiC Semiconductor

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Descripción: RECT BRIDGE GPP 6A 50V GBU

Fabricantes: Diodes Incorporated

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Descripción: RECTIFIER BRIDGE 4A 800V GBU

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Descripción: 4A,800V,BRIDGE,GBU PACKAGE

Fabricantes: Micro Commercial Components (MCC)

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Descripción: 4A,600V,BRIDGE,GBU PACKAGE

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Descripción: DIODE BRIDGE 1000V 4A GBU

Fabricantes: GeneSiC Semiconductor

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