IRF744L

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Especificaciones

Número de pieza

IRF744L
Fabricante / Marca

Electro-Films (EFI) / Vishay
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 450V 8.8A TO-262
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Contiene plomo / RoHS no conforme
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

I2PAK
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

630 mOhm @ 5.3A, 10V
La disipación de energía (máximo)

-
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Otros nombres

*IRF744L
Temperatura de funcionamiento

-
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1400pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

80nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

450V
Descripción detallada

N-Channel 450V 8.8A (Tc) Through Hole I2PAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

8.8A (Tc)

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IRF7451TR

Descripción: MOSFET N-CH 150V 3.6A 8-SOIC

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)

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