IRF9640LPBF

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Especificaciones

Número de pieza

IRF9640LPBF
Fabricante / Marca

Electro-Films (EFI) / Vishay
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET P-CH 200V 11A TO-262
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

IRF9640LPBF.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

I2PAK
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

500 mOhm @ 6.6A, 10V
La disipación de energía (máximo)

3W (Ta), 125W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

18 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1200pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

44nC @ 10V
Tipo FET

P-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

200V
Descripción detallada

P-Channel 200V 11A (Tc) 3W (Ta), 125W (Tc) Through Hole I2PAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

11A (Tc)

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IRF9910TR

Descripción: MOSFET 2N-CH 20V 10A 8-SOIC

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)

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