IRLU120PBF

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Especificaciones

Número de pieza

IRLU120PBF
Fabricante / Marca

Electro-Films (EFI) / Vishay
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 100V 7.7A I-PAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

IRLU120PBF.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

2V @ 250µA
Vgs (Max)

±10V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-251AA
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

270 mOhm @ 4.6A, 5V
La disipación de energía (máximo)

2.5W (Ta), 42W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Otros nombres

*IRLU120PBF
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

490pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

12nC @ 5V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4V, 5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

100V
Descripción detallada

N-Channel 100V 7.7A (Tc) 2.5W (Ta), 42W (Tc) Through Hole TO-251AA
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

7.7A (Tc)

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Los siguientes son productos relacionados con "IRLU120PBF".

IRLU2905

Descripción: MOSFET N-CH 55V 42A I-PAK

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)

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