SI1031X-T1-GE3

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Especificaciones

Número de pieza

SI1031X-T1-GE3
Fabricante / Marca

Electro-Films (EFI) / Vishay
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET P-CH 20V 0.155A SC-75A
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

SI1031X-T1-GE3.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

1.2V @ 250µA
Vgs (Max)

±6V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

SC-75A
Serie

TrenchFET®
RDS (Max) @Id, Vgs

8 Ohm @ 150mA, 4.5V
La disipación de energía (máximo)

300mW (Ta)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

SC-75A
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

13 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

1.5nC @ 4.5V
Tipo FET

P-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

1.5V, 4.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

20V
Descripción detallada

P-Channel 20V 155mA (Ta) 300mW (Ta) Surface Mount SC-75A
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

155mA (Ta)

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Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

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