SI1303DL-T1-E3

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Especificaciones

Número de pieza

SI1303DL-T1-E3
Fabricante / Marca

Electro-Films (EFI) / Vishay
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET P-CH 20V 670MA SOT323-3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

SI1303DL-T1-E3.pdf
VGS (th) (Max) @Id

1.4V @ 250µA
Vgs (Max)

±12V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

SC-70-3
Serie

TrenchFET®
RDS (Max) @Id, Vgs

430 mOhm @ 1A, 4.5V
La disipación de energía (máximo)

290mW (Ta)
embalaje

Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta

SC-70, SOT-323
Otros nombres

SI1303DL-T1-E3CT
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

2.2nC @ 4.5V
Tipo FET

P-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

20V
Descripción detallada

P-Channel 20V 670mA (Ta) 290mW (Ta) Surface Mount SC-70-3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

670mA (Ta)

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