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SI1563EDH-T1-GE3

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Especificaciones

Número de pieza

SI1563EDH-T1-GE3
Fabricante / Marca

Electro-Films (EFI) / Vishay
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N/P-CH 20V 1.13A SC70-6
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

SI1563EDH-T1-GE3.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

1V @ 100µA
Paquete del dispositivo

SC-70-6 (SOT-363)
Serie

TrenchFET®
RDS (Max) @Id, Vgs

280 mOhm @ 1.13A, 4.5V
Potencia - Max

570mW
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

-
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

1nC @ 4.5V
Tipo FET

N and P-Channel
Característica de FET

Logic Level Gate
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

20V
Descripción detallada

Mosfet Array N and P-Channel 20V 1.13A, 880mA 570mW Surface Mount SC-70-6 (SOT-363)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

1.13A, 880mA
Número de pieza base

SI1563

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SI1900DL-T1-GE3

Descripción: MOSFET 2 N-CH 30V SC70-6

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

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