SI2329DS-T1-GE3

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Especificaciones

Número de pieza

SI2329DS-T1-GE3
Fabricante / Marca

Electro-Films (EFI) / Vishay
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET P-CH 8V 6A SOT-23
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

SI2329DS-T1-GE3.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

800mV @ 250µA
Vgs (Max)

±5V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

SOT-23-3 (TO-236)
Serie

TrenchFET®
RDS (Max) @Id, Vgs

30 mOhm @ 5.3A, 4.5V
La disipación de energía (máximo)

2.5W (Tc)
embalaje

Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Otros nombres

SI2329DS-T1-GE3CT
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1485pF @ 4V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

29nC @ 4.5V
Tipo FET

P-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

1.2V, 4.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

8V
Descripción detallada

P-Channel 8V 6A (Tc) 2.5W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

6A (Tc)

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Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

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