SI2347DS-T1-GE3

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Especificaciones

Número de pieza

SI2347DS-T1-GE3
Fabricante / Marca

Electro-Films (EFI) / Vishay
Cantidad de stock

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Descripción

MOSFET P-CH 30V 5A SOT-23
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

SI2347DS-T1-GE3.pdf
VGS (th) (Max) @Id

2.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

SOT-23-3
Serie

TrenchFET®
RDS (Max) @Id, Vgs

42 mOhm @ 3.8A, 10V
La disipación de energía (máximo)

1.7W (Tc)
embalaje

Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Otros nombres

SI2347DS-T1-GE3CT
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

32 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

705pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

22nC @ 10V
Tipo FET

P-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

30V
Descripción detallada

P-Channel 30V 5A (Tc) 1.7W (Tc) Surface Mount SOT-23-3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

5A (Tc)

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