SI2399DS-T1-GE3

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Especificaciones

Número de pieza

SI2399DS-T1-GE3
Fabricante / Marca

Electro-Films (EFI) / Vishay
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

SI2399DS-T1-GE3.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

1.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±12V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

SOT-23-3 (TO-236)
Serie

TrenchFET®
RDS (Max) @Id, Vgs

34 mOhm @ 5.1A, 10V
La disipación de energía (máximo)

1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Otros nombres

SI2399DS-T1-GE3-ND
SI2399DS-T1-GE3TR
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

835pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

20nC @ 4.5V
Tipo FET

P-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

20V
Descripción detallada

P-Channel 20V 6A (Tc) 1.25W (Ta), 2.5W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

6A (Tc)

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SI2401FS08-EVB

Descripción: BOARD EVAL SI2401 + SI3008

Fabricantes: Energy Micro (Silicon Labs)

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