SI3430DV-T1-GE3

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Especificaciones

Número de pieza

SI3430DV-T1-GE3
Fabricante / Marca

Electro-Films (EFI) / Vishay
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

SI3430DV-T1-GE3.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

2V @ 250µA (Min)
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

6-TSOP
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

170 mOhm @ 2.4A, 10V
La disipación de energía (máximo)

1.14W (Ta)
embalaje

Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Otros nombres

SI3430DV-T1-GE3CT
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

6.6nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

100V
Descripción detallada

N-Channel 100V 1.8A (Ta) 1.14W (Ta) Surface Mount 6-TSOP
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

1.8A (Ta)

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SI3424DV-T1-E3

Descripción: MOSFET N-CH 30V 5A 6-TSOP

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

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