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6922753Imagen SI3850ADV-T1-E3Electro-Films (EFI) / Vishay

SI3850ADV-T1-E3

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Especificaciones
  • Número de pieza
    SI3850ADV-T1-E3
  • Fabricante / Marca
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET N/P-CH 20V 1.4A 6TSOP
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    SI3850ADV-T1-E3.pdf
  • VGS (th) (Max) @Id
    1.5V @ 250µA
  • Paquete del dispositivo
    6-TSOP
  • Serie
    TrenchFET®
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    300 mOhm @ 500mA, 4.5V
  • Potencia - Max
    1.08W
  • embalaje
    Cut Tape (CT)
  • Paquete / Cubierta
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
  • Otros nombres
    SI3850ADV-T1-E3CT
    SI3850ADVT1E3
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    -
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    1.4nC @ 4.5V
  • Tipo FET
    N and P-Channel, Common Drain
  • Característica de FET
    Logic Level Gate
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    20V
  • Descripción detallada
    Mosfet Array N and P-Channel, Common Drain 20V 1.4A, 960mA 1.08W Surface Mount 6-TSOP
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
    1.4A, 960mA
  • Número de pieza base
    SI3850

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