SI3812DV-T1-E3

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Especificaciones

Número de pieza

SI3812DV-T1-E3
Fabricante / Marca

Electro-Films (EFI) / Vishay
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 20V 2A 6-TSOP
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

SI3812DV-T1-E3.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

600mV @ 250µA (Min)
Vgs (Max)

±12V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

6-TSOP
Serie

LITTLE FOOT®
RDS (Max) @Id, Vgs

125 mOhm @ 2.4A, 4.5V
La disipación de energía (máximo)

830mW (Ta)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Otros nombres

SI3812DV-T1-E3TR
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

4nC @ 4.5V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

Schottky Diode (Isolated)
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

20V
Descripción detallada

N-Channel 20V 2A (Ta) 830mW (Ta) Surface Mount 6-TSOP
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

2A (Ta)

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SI3585DV-T1-GE3

Descripción: MOSFET N/P-CH 20V 2A 6-TSOP

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

Existencias disponibles

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