SI3805DV-T1-GE3

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Especificaciones

Número de pieza

SI3805DV-T1-GE3
Fabricante / Marca

Electro-Films (EFI) / Vishay
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET P-CH 20V 3.3A 6-TSOP
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

SI3805DV-T1-GE3.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

1.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±12V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

6-TSOP
Serie

LITTLE FOOT®
RDS (Max) @Id, Vgs

84 mOhm @ 3A, 10V
La disipación de energía (máximo)

1.1W (Ta), 1.4W (Tc)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Otros nombres

SI3805DV-T1-GE3TR
SI3805DVT1GE3
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

330pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

12nC @ 10V
Tipo FET

P-Channel
Característica de FET

Schottky Diode (Isolated)
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

20V
Descripción detallada

P-Channel 20V 3.3A (Tc) 1.1W (Ta), 1.4W (Tc) Surface Mount 6-TSOP
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

3.3A (Tc)

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SI3850ADV-T1-E3

Descripción: MOSFET N/P-CH 20V 1.4A 6TSOP

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

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