SI4310BDY-T1-E3

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Especificaciones

Número de pieza

SI4310BDY-T1-E3
Fabricante / Marca

Electro-Films (EFI) / Vishay
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 14SOIC
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

SI4310BDY-T1-E3.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

3V @ 250µA
Paquete del dispositivo

14-SOIC
Serie

TrenchFET®
RDS (Max) @Id, Vgs

11 mOhm @ 10A, 10V
Potencia - Max

1.14W, 1.47W
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

2370pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

18nC @ 4.5V
Tipo FET

2 N-Channel (Dual)
Característica de FET

Logic Level Gate
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

30V
Descripción detallada

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 7.5A, 9.8A 1.14W, 1.47W Surface Mount 14-SOIC
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

7.5A, 9.8A

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SI4300-E-BM

Descripción: IC RF AMP 900MHZ 1.8GHZ 20LGA

Fabricantes: Energy Micro (Silicon Labs)

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