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SI4418DY-T1-GE3

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Especificaciones
  • Número de pieza
    SI4418DY-T1-GE3
  • Fabricante / Marca
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET N-CH 200V 2.3A 8-SOIC
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    SI4418DY-T1-GE3.pdf
  • VGS (th) (Max) @Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnología
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paquete del dispositivo
    8-SO
  • Serie
    TrenchFET®
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    130 mOhm @ 3A, 10V
  • La disipación de energía (máximo)
    1.5W (Ta)
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Otros nombres
    SI4418DY-T1-GE3TR
    SI4418DYT1GE3
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    30nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Característica de FET
    -
  • Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)
    6V, 10V
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    200V
  • Descripción detallada
    N-Channel 200V 2.3A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
    2.3A (Ta)

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Descripción: MOSFET N-CH 30V SOT96-1

Fabricantes: NXP Semiconductors / Freescale
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Descripción: MOSFET P-CH 30V 8-SOIC

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