SI4866DY-T1-GE3

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Especificaciones

Número de pieza

SI4866DY-T1-GE3
Fabricante / Marca

Electro-Films (EFI) / Vishay
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 12V 11A 8-SOIC
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

SI4866DY-T1-GE3.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

600mV @ 250µA (Min)
Vgs (Max)

±8V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

8-SO
Serie

TrenchFET®
RDS (Max) @Id, Vgs

5.5 mOhm @ 17A, 4.5V
La disipación de energía (máximo)

1.6W (Ta)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

33 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

30nC @ 4.5V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

12V
Descripción detallada

N-Channel 12V 11A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount 8-SO
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

11A (Ta)

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Los siguientes son productos relacionados con "SI4866DY-T1-GE3".

SI4866BDY-T1-E3

Descripción: MOSFET N-CH 12V 21.5A 8-SOIC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

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