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SI4900DY-T1-E3

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Especificaciones
  • Número de pieza
    SI4900DY-T1-E3
  • Fabricante / Marca
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8-SOIC
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    SI4900DY-T1-E3.pdf
  • VGS (th) (Max) @Id
    3V @ 250µA
  • Paquete del dispositivo
    8-SO
  • Serie
    TrenchFET®
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    58 mOhm @ 4.3A, 10V
  • Potencia - Max
    3.1W
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Otros nombres
    SI4900DY-T1-E3TR
    SI4900DYT1E3
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    33 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    665pF @ 15V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    20nC @ 10V
  • Tipo FET
    2 N-Channel (Dual)
  • Característica de FET
    Logic Level Gate
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    60V
  • Descripción detallada
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 5.3A 3.1W Surface Mount 8-SO
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
    5.3A
  • Número de pieza base
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Descripción: MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC

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