SI4900DY-T1-E3

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Especificaciones

Número de pieza

SI4900DY-T1-E3
Fabricante / Marca

Electro-Films (EFI) / Vishay
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8-SOIC
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

SI4900DY-T1-E3.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

3V @ 250µA
Paquete del dispositivo

8-SO
Serie

TrenchFET®
RDS (Max) @Id, Vgs

58 mOhm @ 4.3A, 10V
Potencia - Max

3.1W
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Otros nombres

SI4900DY-T1-E3TR
SI4900DYT1E3
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

33 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

665pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

20nC @ 10V
Tipo FET

2 N-Channel (Dual)
Característica de FET

Logic Level Gate
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

60V
Descripción detallada

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 5.3A 3.1W Surface Mount 8-SO
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

5.3A
Número de pieza base

SI4900

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SI4900DY-T1-GE3

Descripción: MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8-SOIC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

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