SI4933DY-T1-E3

Petición de oferta en línea

Complete todos los campos requeridos con su información de contacto. Haga clic en "Enviar RFQ" Nos comunicaremos con usted en breve por correo electrónico.O envíenos un correo electrónico:info@ftcelectronics.com

Consulta en línea

Especificaciones

Número de pieza

SI4933DY-T1-E3
Fabricante / Marca

Electro-Films (EFI) / Vishay
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET 2P-CH 12V 7.4A 8-SOIC
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

SI4933DY-T1-E3.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

1V @ 500µA
Paquete del dispositivo

8-SO
Serie

TrenchFET®
RDS (Max) @Id, Vgs

14 mOhm @ 9.8A, 4.5V
Potencia - Max

1.1W
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Otros nombres

SI4933DY-T1-E3TR
SI4933DYT1E3
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

-
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

70nC @ 4.5V
Tipo FET

2 P-Channel (Dual)
Característica de FET

Logic Level Gate
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

12V
Descripción detallada

Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 12V 7.4A 1.1W Surface Mount 8-SO
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

7.4A
Número de pieza base

SI4933

Noticias relaciondas
Envío
Forma de pago

Hemos establecido asociaciones a largo plazo con los principales proveedores de logística global, que ofrecen soluciones de envío flexibles y eficientes adaptadas a sus necesidades únicas.Dependiendo del tamaño, el peso y el destino de su pedido, seleccionamos el transportista de envío más adecuado.También proporcionamos servicios de seguimiento de logística en tiempo real, lo que permite a los clientes comprender la ubicación y el estado de sus bienes en cualquier momento. Si tiene rutas de envío internacionales específicas o un vendedor de carga designado, comuníquese con nuestro equipo de ventas, estamos encantados de acomodar sus requisitos.

Apoyamos múltiples métodos de pago, incluidas tarjetas de crédito, transferencias bancarias y otras opciones, y aceptamos la mayoría de las monedas.Para los pedidos realizados en USD, hay opciones de pago adicionales disponibles.Para obtener más detalles sobre métodos y procedimientos de pago, comuníquese con nuestro equipo de ventas.

Los siguientes son productos relacionados con "SI4933DY-T1-E3".

SI4922BDY-T1-E3

Descripción: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

Existencias disponibles

SI4933DY-T1-E3

Petición de oferta en línea

INATRONICS 2025: Electronics & Component Industries

Institución: se espera que el chip auto-desarrollado de Ap...

NEPCON 2025 Unveils Next-Gen Tech

IBM CEO advierte sobre los riesgos de suministro de chips y...

EMK 2025 Highlights Innovation in Electronics Manufacturing

Samsung Electro Mechanics actualiza la tecnología de chips...

STMicroelectronics Strengthens Technology Portfolio: From M...

2025 Global Semiconductor Tariff Surge: Supply Chain Shifts...

SK Hynix planea invertir más de KRW 20 billones este año ...

El Departamento de Comercio de los Estados Unidos emitirá ...

Expo Electronica 2025: Russia’s Premier Electronics Show H...

TSMC planea producir en masa el embalaje de nivel de panel ...

Seleccione el idioma

Idioma actual