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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores-FETs, MOSFETs-matrices > SI4943CDY-T1-GE3
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SI4943CDY-T1-GE3

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Especificaciones
  • Número de pieza
    SI4943CDY-T1-GE3
  • Fabricante / Marca
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET 2P-CH 20V 8A 8-SOIC
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
  • VGS (th) (Max) @Id
    3V @ 250µA
  • Paquete del dispositivo
    8-SO
  • Serie
    TrenchFET®
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    19.2 mOhm @ 8.3A, 10V
  • Potencia - Max
    3.1W
  • embalaje
    Original-Reel®
  • Paquete / Cubierta
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Otros nombres
    SI4943CDY-T1-GE3DKR
  • Temperatura de funcionamiento
    -50°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    1945pF @ 10V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    62nC @ 10V
  • Tipo FET
    2 P-Channel (Dual)
  • Característica de FET
    Logic Level Gate
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    20V
  • Descripción detallada
    Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 8A 3.1W Surface Mount 8-SO
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
    8A
  • Número de pieza base
    SI4943
SI4940DY-T1-E3

SI4940DY-T1-E3

Descripción: MOSFET 2N-CH 40V 4.2A 8-SOIC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
SI4946BEY-T1-E3

SI4946BEY-T1-E3

Descripción: MOSFET 2N-CH 60V 6.5A 8-SOIC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
SI4936CDY-T1-E3

SI4936CDY-T1-E3

Descripción: MOSFET 2N-CH 30V 5.8A 8SO

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
SI4940DY-T1-GE3

SI4940DY-T1-GE3

Descripción: MOSFET 2N-CH 40V 4.2A 8-SOIC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
SI4942DY-T1-E3

SI4942DY-T1-E3

Descripción: MOSFET 2N-CH 40V 5.3A 8-SOIC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
SI4943BDY-T1-E3

SI4943BDY-T1-E3

Descripción: MOSFET 2P-CH 20V 6.3A 8-SOIC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
SI4943CDY-T1-E3

SI4943CDY-T1-E3

Descripción: MOSFET 2P-CH 20V 8A 8-SOIC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
SI4942DY-T1-GE3

SI4942DY-T1-GE3

Descripción: MOSFET 2N-CH 40V 5.3A 8-SOIC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
SI4948BEY-T1-E3

SI4948BEY-T1-E3

Descripción: MOSFET 2P-CH 60V 2.4A 8-SOIC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
SI4936CDY-T1-GE3

SI4936CDY-T1-GE3

Descripción: MOSFET 2N-CH 30V 5.8A 8-SOIC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
SI4947ADY-T1-E3

SI4947ADY-T1-E3

Descripción: MOSFET 2P-CH 30V 3A 8-SOIC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
SI4941EDY-T1-E3

SI4941EDY-T1-E3

Descripción: MOSFET 2P-CH 30V 10A 8-SOIC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
SI4944DY-T1-E3

SI4944DY-T1-E3

Descripción: MOSFET 2N-CH 30V 9.3A 8-SOIC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
SI4952DY-T1-E3

SI4952DY-T1-E3

Descripción: MOSFET 2N-CH 25V 8A 8-SOIC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
SI4943BDY-T1-GE3

SI4943BDY-T1-GE3

Descripción: MOSFET 2P-CH 20V 6.3A 8-SOIC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
SI4948BEY-T1-GE3

SI4948BEY-T1-GE3

Descripción: MOSFET 2P-CH 60V 2.4A 8-SOIC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
SI4946CDY-T1-GE3

SI4946CDY-T1-GE3

Descripción: MOSFET N-CHAN DUAL 60V SO-8

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
SI4944DY-T1-GE3

SI4944DY-T1-GE3

Descripción: MOSFET 2N-CH 30V 9.3A 8-SOIC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
SI4946BEY-T1-GE3

SI4946BEY-T1-GE3

Descripción: MOSFET 2N-CH 60V 6.5A 8-SOIC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
SI4947ADY-T1-GE3

SI4947ADY-T1-GE3

Descripción: MOSFET 2P-CH 30V 3A 8-SOIC

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