SI5997DU-T1-GE3

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Especificaciones

Número de pieza

SI5997DU-T1-GE3
Fabricante / Marca

Electro-Films (EFI) / Vishay
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET 2P-CH 30V 6A PPAK CHIPFET
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

SI5997DU-T1-GE3.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

2.4V @ 250µA
Paquete del dispositivo

PowerPAK® ChipFet Dual
Serie

TrenchFET®
RDS (Max) @Id, Vgs

54 mOhm @ 3A, 10V
Potencia - Max

10.4W
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

PowerPAK® ChipFET™ Dual
Otros nombres

SI5997DU-T1-GE3-ND
SI5997DU-T1-GE3TR
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

430pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

14.5nC @ 10V
Tipo FET

2 P-Channel (Dual)
Característica de FET

Logic Level Gate
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

30V
Descripción detallada

Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 6A 10.4W Surface Mount PowerPAK® ChipFet Dual
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

6A

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SI5980DU-T1-GE3

Descripción: MOSFET 2N-CH 100V 2.5A CHIPFET

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

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