SI7100DN-T1-GE3

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Especificaciones

Número de pieza

SI7100DN-T1-GE3
Fabricante / Marca

Electro-Films (EFI) / Vishay
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 8V 35A PPAK 1212-8
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

SI7100DN-T1-GE3.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

1V @ 250µA
Vgs (Max)

±8V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

PowerPAK® 1212-8
Serie

TrenchFET®
RDS (Max) @Id, Vgs

3.5 mOhm @ 15A, 4.5V
La disipación de energía (máximo)

3.8W (Ta), 52W (Tc)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

PowerPAK® 1212-8
Temperatura de funcionamiento

-50°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

3810pF @ 4V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

105nC @ 8V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

8V
Descripción detallada

N-Channel 8V 35A (Tc) 3.8W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

35A (Tc)

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