SI7117DN-T1-GE3

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Especificaciones

Número de pieza

SI7117DN-T1-GE3
Fabricante / Marca

Electro-Films (EFI) / Vishay
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

SI7117DN-T1-GE3.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

4.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

PowerPAK® 1212-8
Serie

TrenchFET®
RDS (Max) @Id, Vgs

1.2 Ohm @ 500mA, 10V
La disipación de energía (máximo)

3.2W (Ta), 12.5W (Tc)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

PowerPAK® 1212-8
Otros nombres

SI7117DN-T1-GE3-ND
SI7117DN-T1-GE3TR
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

33 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

510pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

12nC @ 10V
Tipo FET

P-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

150V
Descripción detallada

P-Channel 150V 2.17A (Tc) 3.2W (Ta), 12.5W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

2.17A (Tc)

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SI7123DN-T1-GE3

Descripción:

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

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