SI7172ADP-T1-RE3

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Especificaciones

Número de pieza

SI7172ADP-T1-RE3
Fabricante / Marca

Electro-Films (EFI) / Vishay
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CHAN 200V POWERPAK SO-8
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

SI7172ADP-T1-RE3.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

3.1V @ 250µA
Vgs (Max)

-
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

PowerPAK® SO-8
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

50 mOhm @ 10A, 10V
La disipación de energía (máximo)

-
embalaje

Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta

PowerPAK® SO-8
Otros nombres

SI7172ADP-T1-RE3CT
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 125°C
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1110pF @ 100V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

19.5nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

7.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

200V
Descripción detallada

N-Channel 200V Surface Mount PowerPAK® SO-8
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

-

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SI7194DP-T1-GE3

Descripción: MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

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