SI7448DP-T1-GE3

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Especificaciones

Número de pieza

SI7448DP-T1-GE3
Fabricante / Marca

Electro-Films (EFI) / Vishay
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 20V 13.4A PPAK SO-8
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

SI7448DP-T1-GE3.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

1.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±12V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

PowerPAK® SO-8
Serie

TrenchFET®
RDS (Max) @Id, Vgs

6.5 mOhm @ 22A, 4.5V
La disipación de energía (máximo)

1.9W (Ta)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

PowerPAK® SO-8
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

50nC @ 4.5V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

20V
Descripción detallada

N-Channel 20V 13.4A (Ta) 1.9W (Ta) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

13.4A (Ta)

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SI7447ADP-T1-GE3

Descripción: MOSFET P-CH 30V 35A PPAK 1212-8

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

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