SI7726DN-T1-GE3

Petición de oferta en línea

Complete todos los campos requeridos con su información de contacto. Haga clic en "Enviar RFQ" Nos comunicaremos con usted en breve por correo electrónico.O envíenos un correo electrónico:info@ftcelectronics.com

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

Existencias disponibles

3000+

$0.46

Consulta en línea

Especificaciones

Número de pieza

SI7726DN-T1-GE3
Fabricante / Marca

Electro-Films (EFI) / Vishay
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

SI7726DN-T1-GE3.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

2.6V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

PowerPAK® 1212-8
Serie

SkyFET®, TrenchFET®
RDS (Max) @Id, Vgs

9.5 mOhm @ 10A, 10V
La disipación de energía (máximo)

3.8W (Ta), 52W (Tc)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

PowerPAK® 1212-8
Otros nombres

SI7726DN-T1-GE3TR
SI7726DNT1GE3
Temperatura de funcionamiento

-50°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1765pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

43nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

30V
Descripción detallada

N-Channel 30V 35A (Tc) 3.8W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

35A (Tc)

Noticias relaciondas
Envío
Forma de pago

Hemos establecido asociaciones a largo plazo con los principales proveedores de logística global, que ofrecen soluciones de envío flexibles y eficientes adaptadas a sus necesidades únicas.Dependiendo del tamaño, el peso y el destino de su pedido, seleccionamos el transportista de envío más adecuado.También proporcionamos servicios de seguimiento de logística en tiempo real, lo que permite a los clientes comprender la ubicación y el estado de sus bienes en cualquier momento. Si tiene rutas de envío internacionales específicas o un vendedor de carga designado, comuníquese con nuestro equipo de ventas, estamos encantados de acomodar sus requisitos.

Apoyamos múltiples métodos de pago, incluidas tarjetas de crédito, transferencias bancarias y otras opciones, y aceptamos la mayoría de las monedas.Para los pedidos realizados en USD, hay opciones de pago adicionales disponibles.Para obtener más detalles sobre métodos y procedimientos de pago, comuníquese con nuestro equipo de ventas.

Los siguientes son productos relacionados con "SI7726DN-T1-GE3".

SI7703EDN-T1-GE3

Descripción: MOSFET P-CH 20V 4.3A 1212-8 PPAK

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

Existencias disponibles

SI7726DN-T1-GE3

Petición de oferta en línea

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

India invests $2.7 billion to boost local electronic compon...

Contrapunto: Para 2024, el envío global de sensores de ima...

El chip de 2NM de TSMC se producirá en masa en la segunda ...

Fuerte demanda de chips analógicos, el pronóstico de ingr...

INATRONICS 2025: Electronics & Component Industries

Institución: se espera que el chip auto-desarrollado de Ap...

NEPCON 2025 Unveils Next-Gen Tech

IBM CEO advierte sobre los riesgos de suministro de chips y...

EMK 2025 Highlights Innovation in Electronics Manufacturing

Samsung Electro Mechanics actualiza la tecnología de chips...

STMicroelectronics Strengthens Technology Portfolio: From M...

2025 Global Semiconductor Tariff Surge: Supply Chain Shifts...

Seleccione el idioma

Idioma actual