SI8404DB-T1-E1

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Especificaciones

Número de pieza

SI8404DB-T1-E1
Fabricante / Marca

Electro-Films (EFI) / Vishay
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 8V 12.2A 2X2 4-MFP
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

SI8404DB-T1-E1.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

1V @ 250µA
Vgs (Max)

±5V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

4-Microfoot
Serie

TrenchFET®
RDS (Max) @Id, Vgs

31 mOhm @ 1A, 4.5V
La disipación de energía (máximo)

2.78W (Ta), 6.25W (Tc)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

4-XFBGA, CSPBGA
Otros nombres

SI8404DB-T1-E1TR
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1950pF @ 4V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

33nC @ 5V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

8V
Descripción detallada

N-Channel 8V 12.2A (Tc) 2.78W (Ta), 6.25W (Tc) Surface Mount 4-Microfoot
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

12.2A (Tc)

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SI8401AA-B-ISR

Descripción: DGTL ISOLATOR 1KV 2CH I2C 8SOIC

Fabricantes: Energy Micro (Silicon Labs)

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