SI8407DB-T2-E1

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Especificaciones

Número de pieza

SI8407DB-T2-E1
Fabricante / Marca

Electro-Films (EFI) / Vishay
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET P-CH 20V 5.8A 2X2 6-MFP
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

SI8407DB-T2-E1.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

900mV @ 350µA
Vgs (Max)

±8V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

6-Micro Foot™ (1.5x1)
Serie

TrenchFET®
RDS (Max) @Id, Vgs

27 mOhm @ 1A, 4.5V
La disipación de energía (máximo)

1.47W (Ta)
embalaje

Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta

6-MICRO FOOT®CSP
Otros nombres

SI8407DB-T2-E1CT
SI8407DBT2E1
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

50nC @ 4.5V
Tipo FET

P-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

20V
Descripción detallada

P-Channel 20V 5.8A (Ta) 1.47W (Ta) Surface Mount 6-Micro Foot™ (1.5x1)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

5.8A (Ta)

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SI8405AA-A-IS1R

Descripción: DGTL ISOLATOR 1KV 4CH I2C 16SOIC

Fabricantes: Energy Micro (Silicon Labs)

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