SIA437DJ-T1-GE3

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Especificaciones

Número de pieza

SIA437DJ-T1-GE3
Fabricante / Marca

Electro-Films (EFI) / Vishay
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET P-CH 20V 29.7A SC70-6
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

SIA437DJ-T1-GE3.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

900mV @ 250µA
Vgs (Max)

±8V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

PowerPAK® SC-70-6 Single
Serie

TrenchFET®
RDS (Max) @Id, Vgs

14.5 mOhm @ 8A, 4.5V
La disipación de energía (máximo)

3.5W (Ta), 19W (Tc)
embalaje

Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta

PowerPAK® SC-70-6
Otros nombres

SIA437DJ-T1-GE3CT
Temperatura de funcionamiento

-50°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

2340pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

90nC @ 8V
Tipo FET

P-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

1.5V, 4.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

20V
Descripción detallada

P-Channel 20V 29.7A (Tc) 3.5W (Ta), 19W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Single
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

29.7A (Tc)

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SIA436DJ-T1-GE3

Descripción: MOSFET N-CH 8V 12A SC70-6L

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

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