SIA447DJ-T1-GE3

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Especificaciones

Número de pieza

SIA447DJ-T1-GE3
Fabricante / Marca

Electro-Films (EFI) / Vishay
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET P-CH 12V 12A SC-70-6L
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

SIA447DJ-T1-GE3.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

850mV @ 250µA
Vgs (Max)

±8V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

PowerPAK® SC-70-6 Single
Serie

TrenchFET®
RDS (Max) @Id, Vgs

13.5 mOhm @ 7A, 4.5V
La disipación de energía (máximo)

3.5W (Ta), 19W (Tc)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

PowerPAK® SC-70-6
Otros nombres

SIA447DJ-T1-GE3-ND
SIA447DJ-T1-GE3TR
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

32 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

2880pF @ 6V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

80nC @ 8V
Tipo FET

P-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

1.5V, 4.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

12V
Descripción detallada

P-Channel 12V 12A (Tc) 3.5W (Ta), 19W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Single
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

12A (Tc)

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