SIHH26N60E-T1-GE3

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Especificaciones

Número de pieza

SIHH26N60E-T1-GE3
Fabricante / Marca

Electro-Films (EFI) / Vishay
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 600V 25A POWERPAK8X8
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

SIHH26N60E-T1-GE3.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

PowerPAK® 8 x 8
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

135 mOhm @ 13A, 10V
La disipación de energía (máximo)

202W (Tc)
embalaje

Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta

8-PowerTDFN
Otros nombres

SIHH26N60E-T1-GE3CT
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

2815pF @ 100V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

116nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

600V
Descripción detallada

N-Channel 600V 25A (Tc) 202W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 8 x 8
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

25A (Tc)

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SIHH14N65EF-T1-GE3

Descripción: MOSFET N-CHAN 650V 15A POWERPAK

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

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