SIHP22N60EL-GE3

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Especificaciones

Número de pieza

SIHP22N60EL-GE3
Fabricante / Marca

Electro-Films (EFI) / Vishay
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 600V 21A TO220AB
Estado Libre de plomo / Estado RoHS
Especificaciones

SIHP22N60EL-GE3.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

5V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-220AB
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

197 mOhm @ 11A, 10V
La disipación de energía (máximo)

227W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-220-3
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Tiempo de entrega estándar del fabricante

14 Weeks
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1690pF @ 100V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

74nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

600V
Descripción detallada

N-Channel 600V 21A (Tc) 227W (Tc) Through Hole TO-220AB
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

21A (Tc)

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SIHP22N60AEL-GE3

Descripción: MOSFET N-CHAN 600V

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

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